多层片式瓷介电容器作为电子工业不可或缺的核心基础元器件，在电子电路中起滤波、耦合、隔直、旁路等关键作用。作为适用于高密度微组装工艺的多层芯片瓷介电容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串联电阻（ESR）及低等效串联电感（ESL）等显著技术优势，在现代电子系统中扮演着重要的角色，其战略价值日益突显。在高可靠性应用领域，如电子对抗、雷达系统、导航制导及卫星通信等关键系统中，多层芯片瓷介电容器凭借其卓越性能获得广泛应用。在民用及工业应用领域，其应用前景同样极为广阔，目前已经广泛应用于5G通信基础设施、高速光通信模块、激光雷达等前沿技术领域。随着射频微波通信技术、雷达、电子站、光通信技术、精密测量仪器以及自动驾驶等高端产业的蓬勃发展，现代电子设备对小型化、轻量化、高集成度的追求日趋迫切。特别是在光通信组件集成化与汽车雷达小型化的强劲需求牵引下，市场对超微型多层芯片瓷介电容器的需求日益旺盛。为响应这一行业趋势，元六鸿远公司依托技术创新，成功研制出012012尺寸多层芯片瓷介电容器，尺寸代码012012（0.30mm×0.30mm）。该系列产品在关键的产品尺寸与电容量等核心性能指标上实现了突破性进展，有效解决了微型化与高容值兼顾的技术难题。目标在于为新一代高度小型化的通信设备提供性能更优、体积更小、可靠性更高的芯片电容解决方案，为电子信息技术向更微型、更智能的方向持续演进提供有力技术支撑。元六鸿远多层芯片瓷介电容器产品，自面市以来凭借优异的性能和可靠性，赢得了市场的广泛认可。为积极响应电子产品日益小型化、高集成化的发展要求，满足客户对更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在现有成熟产品015015（0J0J）规格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基础上，成功开发并推出全新012012（0G0G）规格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多层芯片瓷介电容器。此次推出的012012多层芯片瓷介电容器，其产品体积由015015规格的0.043mm³大幅缩减至0.018mm³，体积降幅高达约58%。该产品的成功研制，进一步拓展了国内外超小型多层芯片瓷介电容器的尺寸范围，实现了显著的技术突破，可为国内外客户提供新的超小尺寸多层芯片瓷介电容器解决方案。以1000pF规格为例，012012多层芯片瓷介电容器相较于原有015015、0202尺寸实物对比如下：元六鸿远CT41A（MA）系列012012超小型多层芯片瓷介电容器的研发成果，标志着公司在多层芯片瓷介电容器领域达到行业领先水平，超小芯片电容产品工艺平台日趋成熟，为下游客户开发更前沿、更精密的电子产品提供了核心元器件支持！

随着射频&微波通信、雷达探测、电子对抗、光通信等高端技术的蓬勃发展，对电子通信系统提出了更高速率、更广覆盖范围和更低延迟量的要求，因此射频电路要不断提升功率密度、工作频率等关键指标，要求器件要向更高工作电压、更高工作温度的方向迭代发展，以应对更大功率的要求。对射频电路中使用的各类电子元器件，特别是瓷介电容器产品带来了新的挑战。元六鸿远作为高可靠瓷介电容器领域的核心厂家，多年来深耕于电子陶瓷领域，积极布局和开发新产品，为各类新的应用场景提供技术解决方案。针对射频器件在大功率方向的发展需求，元六鸿远通过陶瓷材料和产品工艺的攻关，在产品技术上取得了显著的进步，现推出CT41A系列2D0特性【-55℃~+150℃】芯片电容器，该系列产品在工作温度和工作电压等关键性能指标上实现了关键突破，可为新一代通信设备、雷达、电子对抗等领域提供更可靠、更优异的芯片电容器解决方案。                                      满足GJB548B-2005键合和抗剪强度测试方法，并且通过了150˚C-1.5UR-1000h高温寿命考核、2.5UR介质耐压测试等严苛测试，充分验证了其在高温、高压环境下的长期可靠性，能够更好适用高温高压工作环境。目前可提供的质量等级包括G、J、M级。同时，2D0特性芯片电容器提供多种尺寸规格，并可根据客户的特殊需求提供定制化产品。适用于电子装备（雷达、电子对抗）；通信设备（射频模块、光通信收发模组、微波毫米波电路）；汽车电子（符合AEC-Q200标准、车载激光雷达）；工业设备（测量设备）等高可靠应用场景。除CT41A系列产品外，针对微组装应用场景，元六鸿远还可提供单层芯片瓷介电容器、金端多层瓷介电容器、硅基电容器、薄膜芯片电阻器、阻容网络、薄膜电路、DPC陶瓷基板、热沉等多品类、系列化的产品和解决方案，满足客户多种应用场景需求。未来，元六鸿远将继续发挥在电子陶瓷元器件领域的技术优势，针对客户的应用场景需求，开拓创新，以更先进的产品为客户提供专业、高效的技术解决方案。